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有關四閘極金半場效電晶體和四閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

有關四閘極金半場效電晶體和四閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為及其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Quadruple-Gate MESFETs and Quadruple -Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Analytical Subthreshold Behavior Model of Quadruple-Gate MESFETs and Quadruple -Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
作者:	林于揚,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2023[民112]
面頁冊數:	xi,100葉圖 : 30公分;
標題:	漂移擴散法
標題:	Drift-diffusion
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/3hv9jd
附註:	112年12月1日公開
附註:	參考書目: 葉96-98

有關四閘極金半場效電晶體和四閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為及其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Quadruple-Gate MESFETs and Quadruple -Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
林, 于揚

有關四閘極金半場效電晶體和四閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為及其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Quadruple-Gate MESFETs and Quadruple -Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate / 林于揚撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - xi,100葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉96-98.
漂移擴散法Drift-diffusion

有關四閘極金半場效電晶體和四閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為及其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Quadruple-Gate MESFETs and Quadruple -Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
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200 1 $a 有關四閘極金半場效電晶體和四閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為及其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 $d Analytical Subthreshold Behavior Model of Quadruple-Gate MESFETs and Quadruple -Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate $z eng $f 林于揚撰
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300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉96-98
314 $a 指導教授: 江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Analytical Subthreshold Behavior Model of Quadruple-Gate MESFETs and Quadruple -Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate $z eng
610 # 0 $a 漂移擴散法 $a 雜訊邊限 $a 準3D電位法 $a 次臨界行為 $a 短通道效應 $a 負交疊金氧半場效電晶體 $a 金半場效電晶體
610 # 1 $a Drift-diffusion $a Noise margin $a Quasi-3D potential $a Subthreshold behavior $a short-channel effects $a Underlap MOSFET $a MESFET
681 $a 008M/0019 $b 542201 4415.2 $v 2007年版
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