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無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteris...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration
Author:	林琬庭,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2023[民112]
Description:	ix,45葉圖 : 30公分;
Subject:	摻雜濃度
Subject:	Doping concentration
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/umxwkx
Notes:	112年12月1日公開
Notes:	參考書目: 葉43-45

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration
林, 琬庭

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration / 林琬庭撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - ix,45葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉43-45.
摻雜濃度Doping concentration

無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 = Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration
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200 1 $a 無接面環繞式閘極電晶體在不同摻雜濃度中的特性 $d Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration $z eng $f 林琬庭撰
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300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉43-45
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Characteristics of Junctionless GAA Transistors for the different Doping Concentration $z eng
610 # 0 $a 摻雜濃度 $a 環繞式閘極電晶體 $a 臨界電壓 $a 轉移電導 $a 次臨界擺幅
610 # 1 $a Doping concentration $a Gate-All-Around transistor $a Threshold voltage $a Transconductance $a Subthreshold swing $a Drain Induced Barrier Lowering
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