國立高雄大學圖資館 |

Language: English

Back

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions
Author:	李士杰,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2023[民112]
Description:	ix,57葉圖 : 30公分;
Subject:	堆疊式金屬閘極鰭式電晶體
Subject:	FinFET
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/4588r3
Notes:	112年12月1日公開
Notes:	參考書目: 葉55-57

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions
李, 士杰

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions / 李士杰撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - ix,57葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉55-57.
堆疊式金屬閘極鰭式電晶體FinFET

不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 = Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions
LDR:01376pam0a2200277 450 001 637255
005 20240312154246.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 111NUK00442022
100 $a 20230915y2023 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 不同功函數之p-FinFET的基本電性及在HCI、NBTI下的電場和電流密度分析 $d Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions $z eng $f 李士杰撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2023[民112]
215 0 $a ix,57葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉55-57
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Analysis of Basic Electrical Characteristics and Electric Field and Current Density under HCI and NBTI in p-FinFET with Different Work Functions $z eng
610 # 0 $a 堆疊式金屬閘極鰭式電晶體 $a 功函數 $a 熱載子注入 $a 負偏溫度效應 $a 臨界電壓
610 # 1 $a FinFET $a Work Function $a Hot Carrier Injection $a Negative Bias Temperature Instability $a Threshold Voltage
681 $a 008M/0019 $b 542201 4044 $v 2007年版
700 1 $a 李 $b 士杰 $4 撰 $3 943640
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20230915 $g CCR
856 4 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/4588r3 $z 電子資源