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電壓應力於閘極全環電晶體之反相器 = Electrical stress...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

電壓應力於閘極全環電晶體之反相器 = Electrical stress on the inverters made by gate-all-around Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Electrical stress on the inverters made by gate-all-around Transistors
Author:	沈威頤,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2023[民112]
Description:	ix,40葉圖 : 30公分;
Subject:	無接面電晶體
Subject:	junctionless transistor
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/ug92a3
Notes:	112年12月1日公開
Notes:	參考書目: 葉38-40

電壓應力於閘極全環電晶體之反相器 = Electrical stress on the inverters made by gate-all-around Transistors
沈, 威頤

電壓應力於閘極全環電晶體之反相器 = Electrical stress on the inverters made by gate-all-around Transistors / 沈威頤撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - ix,40葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉38-40.
無接面電晶體junctionless transistor

電壓應力於閘極全環電晶體之反相器 = Electrical stress on the inverters made by gate-all-around Transistors
LDR:01198pam0a2200277 450 001 637269
005 20240312154313.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 111NUK00442025
100 $a 20230915y2023 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 電壓應力於閘極全環電晶體之反相器 $d Electrical stress on the inverters made by gate-all-around Transistors $z eng $f 沈威頤撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2023[民112]
215 0 $a ix,40葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉38-40
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Electrical stress on the inverters made by gate-all-around Transistors $z eng
610 # 0 $a 無接面電晶體 $a 互補式金氧半反相器 $a 環繞式閘極電晶體 $a 電壓應力 $a 熱載子注入
610 # 1 $a junctionless transistor $a CMOS inverter $a Gate-all-around transistor $a electrical stress $a hot carrier injection
681 $a 008M/0019 $b 542201 3457 $v 2007年版
700 1 $a 沈 $b 威頤 $4 撰 $3 943654
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20230915 $g CCR
856 4 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/ug92a3 $z 電子資源