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模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simula...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area
Author:	鄭雄展,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2023[民112]
Description:	x,29葉圖 : 30公分;
Subject:	環繞式閘極電晶體
Subject:	Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET)
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/kjrm7g
Notes:	112年12月1日公開
Notes:	參考書目: 葉28-29

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area
鄭, 雄展

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area / 鄭雄展撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - x,29葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉28-29.
環繞式閘極電晶體Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET)

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area
LDR:01291pam0a2200277 450 001 637312
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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215 0 $a x,29葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉28-29
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area $z eng
610 # 0 $a 環繞式閘極電晶體 $a 次臨界擺幅 $a 汲極能障降低 $a 短通道效應 $a 奈米片
610 # 1 $a Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET) $a Subthreshold Swing (SS) $a Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) $a Short-Channel Effects $a Nanosheet
681 $a 008M/0019 $b 542201 8747 $v 2007年版
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