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模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simula...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area
作者:	鄭雄展,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2023[民112]
面頁冊數:	x,29葉圖 : 30公分;
標題:	環繞式閘極電晶體
標題:	Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET)
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/kjrm7g
附註:	112年12月1日公開
附註:	參考書目: 葉28-29

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area
鄭, 雄展

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area / 鄭雄展撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - x,29葉 ; 圖 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉28-29.
環繞式閘極電晶體Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET)

模擬無接面環繞式閘極電晶體相同截面積下不同長寬表現差異 = Simulating Gate-All-Around MOSFETs with Different Perimeters but Equal Cross-Section Area
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314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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