寬能隙半導體氧化鎵摻雜不同材料之薄膜特性與元件製作 = Wide-ban...
國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

 

  • 寬能隙半導體氧化鎵摻雜不同材料之薄膜特性與元件製作 = Wide-bandgap semiconductor properties and device fabrication of Ga2O3 thin films doped with different materials
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: Wide-bandgap semiconductor properties and device fabrication of Ga2O3 thin films doped with different materials
    Author: 林宇姍,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 國立高雄大學;
    Year of Publication: 2024[民113]
    Description: x,75葉圖,表 : 30公分;
    Subject: 電子束蒸鍍
    Subject: electron beam evaporation(EBE)
    Online resource: https://handle.ncl.edu.tw/11296/as9kma
    Notes: 113年11月15日公開
    Notes: 參考書目: 葉72-75
Items
  • 2 records • Pages 1 •
 
310003110072 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 541208 4434.1 2024 一般使用(Normal) On shelf 0
310003110080 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 541208 4434.1 2024 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
  • 2 records • Pages 1 •
Multimedia
Reviews
Export
pickup library
 
 
Change password
Login