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寬能隙半導體氧化鎵摻雜不同材料之薄膜特性與元件製作 = Wide-ban...

國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

寬能隙半導體氧化鎵摻雜不同材料之薄膜特性與元件製作 = Wide-bandgap semiconductor properties and device fabrication of Ga2O3 thin films doped with different materials

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Wide-bandgap semiconductor properties and device fabrication of Ga2O3 thin films doped with different materials
作者:	林宇姍,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2024[民113]
面頁冊數:	x,75葉圖,表 : 30公分;
標題:	電子束蒸鍍
標題:	electron beam evaporation（EBE）
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/as9kma
附註:	113年11月15日公開
附註:	參考書目: 葉72-75

寬能隙半導體氧化鎵摻雜不同材料之薄膜特性與元件製作 = Wide-bandgap semiconductor properties and device fabrication of Ga2O3 thin films doped with different materials
林, 宇姍

寬能隙半導體氧化鎵摻雜不同材料之薄膜特性與元件製作 = Wide-bandgap semiconductor properties and device fabrication of Ga2O3 thin films doped with different materials / 林宇姍撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - x,75葉 ; 圖,表 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 葉72-75.
電子束蒸鍍electron beam evaporation（EBE）

寬能隙半導體氧化鎵摻雜不同材料之薄膜特性與元件製作 = Wide-bandgap semiconductor properties and device fabrication of Ga2O3 thin films doped with different materials
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300 $a 參考書目: 葉72-75
314 $a 指導教授: 楊證富博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
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