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通道電壓應力於N型無接面全環式場效電晶體的可靠度分析 = Reliabi...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

通道電壓應力於N型無接面全環式場效電晶體的可靠度分析 = Reliability of Channel Electrical Stress on the N-type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Reliability of Channel Electrical Stress on the N-type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
Author:	郭俊廷,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2024[民113]
Description:	viii,42葉圖 : 30公分;
Subject:	無接面環繞式閘極場效電晶體
Subject:	Junctionless GAA-FET
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/4f9u46
Notes:	113年11月15日公開
Notes:	參考書目: 葉41-42

通道電壓應力於N型無接面全環式場效電晶體的可靠度分析 = Reliability of Channel Electrical Stress on the N-type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
郭, 俊廷

通道電壓應力於N型無接面全環式場效電晶體的可靠度分析 = Reliability of Channel Electrical Stress on the N-type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors / 郭俊廷撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - viii,42葉 ; 圖 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 葉41-42.
無接面環繞式閘極場效電晶體Junctionless GAA-FET

通道電壓應力於N型無接面全環式場效電晶體的可靠度分析 = Reliability of Channel Electrical Stress on the N-type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
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200 1 $a 通道電壓應力於N型無接面全環式場效電晶體的可靠度分析 $d Reliability of Channel Electrical Stress on the N-type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors $z eng $f 郭俊廷撰
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215 0 $a viii,42葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 113年11月15日公開
300 $a 參考書目: 葉41-42
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Reliability of Channel Electrical Stress on the N-type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors $z eng
610 0 $a 無接面環繞式閘極場效電晶體 $a 可靠度實驗 $a 介面層缺陷 $a 臨界電壓 $a 次臨界擺幅
610 1 $a Junctionless GAA-FET $a Reliability test $a Interface Traps $a Threshold Voltage $a Subthreshold Swing
681 $a 008M/0019 $b 542201 0721.2 $v 2007年版
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