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雙材質三閘極金氧半場效電晶體及三閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

雙材質三閘極金氧半場效電晶體及三閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Triple-Gate MOSFETs and Triple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Triple-Gate MOSFETs and Triple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits
作者:	林肇威,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2024[民113]
面頁冊數:	xv,108面圖 : 30公分;
標題:	短通道效應
標題:	Short-channel effect
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/jymy5m
附註:	113年11月15日公開
附註:	參考書目: 面105-106

雙材質三閘極金氧半場效電晶體及三閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Triple-Gate MOSFETs and Triple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits
林, 肇威

雙材質三閘極金氧半場效電晶體及三閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Triple-Gate MOSFETs and Triple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits / 林肇威撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - xv,108面 ; 圖 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 面105-106.
短通道效應Short-channel effect

雙材質三閘極金氧半場效電晶體及三閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 = Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Triple-Gate MOSFETs and Triple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits
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200 1 $a 雙材質三閘極金氧半場效電晶體及三閘極金氧半場效電晶體彈道效應之次臨界行為研究與其次臨界邏輯電路之應用 $d Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Triple-Gate MOSFETs and Triple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits $z eng $f 林肇威撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2024[民113]
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300 $a 113年11月15日公開
300 $a 參考書目: 面105-106
314 $a 指導教授: 江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Analytical Subthreshold Behavior of Dual-Material Triple-Gate MOSFETs and Triple-Gate MOSFETs with Ballistic Effects and Its Applications in Subthreshold Logic Circuits $z eng
610 0 $a 短通道效應 $a 三閘極 $a 次臨界行為 $a 熱載子效應 $a 彈道效應
610 1 $a Short-channel effect $a Multiple-gate $a Subthreshold behavior $a Hot carrier effect $a Ballistic effect
681 $a 008M/0019 $b 542201 4435.2 $v 2007年版
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