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P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electr...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
作者:	楊佳璋,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2024[民113]
面頁冊數:	ix,74葉圖,表 : 30公分;
標題:	次臨界擺幅
標題:	Turn around effect
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/4p79nd
附註:	113年11月15日公開
附註:	參考書目: 葉73-74

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
楊, 佳璋

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors / 楊佳璋撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - ix,74葉 ; 圖,表 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 葉73-74.
次臨界擺幅Turn around effect

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
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328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a 次臨界擺幅 $a 臨界電壓 $a 環繞式閘極電晶體 $a 轉變效應 $a 熱載子注入
610 # 1 $a Turn around effect $a Subthreshold Swing $a Threshold Voltage $a Gate-All-Around Field-Effect Transistor $a Hot Carrier Injection
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