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P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electr...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
Author:	楊佳璋,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2024[民113]
Description:	ix,74葉圖,表 : 30公分;
Subject:	次臨界擺幅
Subject:	Turn around effect
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/4p79nd
Notes:	113年11月15日公開
Notes:	參考書目: 葉73-74

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
楊, 佳璋

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors / 楊佳璋撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - ix,74葉 ; 圖,表 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 葉73-74.
次臨界擺幅Turn around effect

P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 = Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
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010 0 $b 平裝
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200 1 $a P型無接面全環式閘極電晶體承受電應力引起的臨界電壓偏移 $d Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors $z eng $f 楊佳璋撰
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300 $a 113年11月15日公開
300 $a 參考書目: 葉73-74
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Electrical Stress-Induced Threshold Voltage Shift in p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors $z eng
610 # 0 $a 次臨界擺幅 $a 臨界電壓 $a 環繞式閘極電晶體 $a 轉變效應 $a 熱載子注入
610 # 1 $a Turn around effect $a Subthreshold Swing $a Threshold Voltage $a Gate-All-Around Field-Effect Transistor $a Hot Carrier Injection
681 $a 008M/0019 $b 542201 4621.1 $v 2007年版
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856 4 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/4p79nd $z 電子資源