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N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Elec...

何岳廷

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors
作者:	何岳廷,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2024[民113]
面頁冊數:	xvi,107葉圖,表 : 30公分;
標題:	無接面
標題:	Junctionless
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/x2vn5k
附註:	113年11月15日公開
附註:	參考書目: 葉103-107

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors
何, 岳廷

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors / 何岳廷撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - xvi,107葉 ; 圖,表 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 葉103-107.
無接面Junctionless

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors
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300 $a 參考書目: 葉103-107
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 0 $a 無接面 $a 全環式閘極場效電晶體 $a 熱載子注入 $a 回轉現象 $a 臨界電壓 $a 次臨界擺幅 $a TCAD
610 1 $a Junctionless $a Gate-All-Around Field-Effect Transistor $a Hot Carrier Injection $a Turn-Around $a Threshold Voltage $a Subthreshold Swing $a TCAD
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