閘極與汲極偏壓對N型無接面全環式閘極場效電晶體的可靠度影響 = Impa...
國立高雄大學電機工程學系碩博士班

 

  • 閘極與汲極偏壓對N型無接面全環式閘極場效電晶體的可靠度影響 = Impact of Gate and Drain Bias on the Reliability of N-Type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: Impact of Gate and Drain Bias on the Reliability of N-Type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
    Author: 蔡糧屹,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 國立高雄大學;
    Year of Publication: 2025[民114]
    Description: xi,53葉圖,表 : 30公分;
    Subject: 無接面
    Subject: Junctionless
    Online resource: https://handle.ncl.edu.tw/11296/577c9x
    Notes: 114年4月15日公開
    Notes: 參考書目: 葉49-53
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310003128017 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4492.4 2025 一般使用(Normal) On shelf 0
310003128025 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4492.4 2025 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
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