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閘極與汲極偏壓對N型無接面全環式閘極場效電晶體的可靠度影響 = Impa...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

閘極與汲極偏壓對N型無接面全環式閘極場效電晶體的可靠度影響 = Impact of Gate and Drain Bias on the Reliability of N-Type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Impact of Gate and Drain Bias on the Reliability of N-Type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
作者:	蔡糧屹,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2025[民114]
面頁冊數:	xi,53葉圖,表 : 30公分;
標題:	無接面
標題:	Junctionless
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/577c9x
附註:	114年4月15日公開
附註:	參考書目: 葉49-53

閘極與汲極偏壓對N型無接面全環式閘極場效電晶體的可靠度影響 = Impact of Gate and Drain Bias on the Reliability of N-Type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
蔡, 糧屹

閘極與汲極偏壓對N型無接面全環式閘極場效電晶體的可靠度影響 = Impact of Gate and Drain Bias on the Reliability of N-Type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors / 蔡糧屹撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - xi,53葉 ; 圖,表 ; 30公分.
114年4月15日公開參考書目: 葉49-53.
無接面Junctionless

閘極與汲極偏壓對N型無接面全環式閘極場效電晶體的可靠度影響 = Impact of Gate and Drain Bias on the Reliability of N-Type Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors
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314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a 無接面 $a 全環式閘極場效電晶體 $a 熱載子注入 $a 臨界電壓 $a 次臨界擺幅 $a TCAD
610 # 1 $a Junctionless $a Gate-All-Around Field-Effect Transistor $a Hot Carrier Injection $a Threshold Voltage $a Subthreshold Swing $a TCAD
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