語系:
繁體中文
English
說明(常見問題)
圖資館首頁
登入
回首頁
切換:
標籤
|
MARC模式
|
ISBD
無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = St...
~
國立高雄大學電機工程學系碩博士班
無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
作者:
王靖侖,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2025[民114]
面頁冊數:
x,60葉圖 : 30公分;
標題:
無接面電晶體
標題:
Junctionless Transistor
電子資源:
https://handle.ncl.edu.tw/11296/dbxthp
附註:
114年4月15日公開
附註:
參考書目: 葉57-60
無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
王, 靖侖
無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究
= Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress / 王靖侖撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - x,60葉 ; 圖 ; 30公分.
114年4月15日公開參考書目: 葉57-60.
無接面電晶體Junctionless Transistor
無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
LDR
:01487pam0a2200277 450
001
670953
005
20250508104639.0
010
0
$b
精裝
010
0
$b
平裝
099
$a
113NUK00442008
100
$a
20250312y2025 k y0chiy50 e
101
0
$a
chi
$d
chi
$d
eng
102
$a
tw
105
$a
a am 000yy
200
1
$a
無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究
$d
Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
$z
eng
$f
王靖侖撰
210
$a
高雄市
$c
國立高雄大學
$d
2025[民114]
215
0
$a
x,60葉
$c
圖
$d
30公分
300
$a
114年4月15日公開
300
$a
參考書目: 葉57-60
314
$a
指導教授: 張文騰博士
328
$a
碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510
1
$a
Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
$z
eng
610
# 0
$a
無接面電晶體
$a
全環式閘極場效電晶體
$a
反向器
$a
汲源阻抗
$a
熱載子注入
$a
電壓傳輸特性
$a
臨界電壓
610
# 1
$a
Junctionless Transistor
$a
Gate-All-Around Field-Effect Transistor
$a
Drain-Source Resistance
$a
Hot Carrier Injection
$a
Voltage Transfer Characteristics
$a
Threshold Voltage
$a
Inverter
681
$a
008M/0019
$b
542201 1008.1
$v
2007年版
700
1
$a
王
$b
靖侖
$4
撰
$3
983816
712
0 2
$a
國立高雄大學
$b
電機工程學系碩博士班
$3
769000
801
0
$a
tw
$b
NUK
$c
20250312
$g
CCR
856
4 #
$u
https://handle.ncl.edu.tw/11296/dbxthp
$z
電子資源
筆 0 讀者評論
全部
博碩士論文區(二樓)
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
1
條碼號
館藏地
館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
備註欄
附件
310003127936
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 1008.1 2025
一般使用(Normal)
在架
0
310003127944
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 1008.1 2025 c.2
一般使用(Normal)
在架
0
2 筆 • 頁數 1 •
1
多媒體
多媒體檔案
https://handle.ncl.edu.tw/11296/dbxthp
評論
新增評論
分享你的心得
Export
取書館別
處理中
...
變更密碼
登入