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無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = St...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
Author:	王靖侖,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2025[民114]
Description:	x,60葉圖 : 30公分;
Subject:	無接面電晶體
Subject:	Junctionless Transistor
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/dbxthp
Notes:	114年4月15日公開
Notes:	參考書目: 葉57-60

無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
王, 靖侖

無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress / 王靖侖撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - x,60葉 ; 圖 ; 30公分.
114年4月15日公開參考書目: 葉57-60.
無接面電晶體Junctionless Transistor

無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 = Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress
LDR:01487pam0a2200277 450 001 670953
005 20250508104639.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 113NUK00442008
100 $a 20250312y2025 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 無接面環繞式閘極場效電晶體在電壓應力下反向器與源汲電阻特性研究 $d Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress $z eng $f 王靖侖撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2025[民114]
215 0 $a x,60葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 114年4月15日公開
300 $a 參考書目: 葉57-60
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Study on the Inverter and Drain- Source Resistance Characteristics of Junctionless Gate-All-Around Field-Effect Transistors under Electrical Stress $z eng
610 # 0 $a 無接面電晶體 $a 全環式閘極場效電晶體 $a 反向器 $a 汲源阻抗 $a 熱載子注入 $a 電壓傳輸特性 $a 臨界電壓
610 # 1 $a Junctionless Transistor $a Gate-All-Around Field-Effect Transistor $a Drain-Source Resistance $a Hot Carrier Injection $a Voltage Transfer Characteristics $a Threshold Voltage $a Inverter
681 $a 008M/0019 $b 542201 1008.1 $v 2007年版
700 1 $a 王 $b 靖侖 $4 撰 $3 983816
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20250312 $g CCR
856 4 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/dbxthp $z 電子資源