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電子束沉積不同雜質摻雜Ga2O3寬能隙半導體薄膜之特性分析與元件製造 =...

國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

電子束沉積不同雜質摻雜Ga2O3寬能隙半導體薄膜之特性分析與元件製造 = Characterizations and Device Fabrications of Ga2O3 Wide Bandgap Semiconductor Thin Films Doped with Different Impurities via Electron Beam Deposition

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Characterizations and Device Fabrications of Ga2O3 Wide Bandgap Semiconductor Thin Films Doped with Different Impurities via Electron Beam Deposition
Author:	王怡雯,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2025[民114]
Description:	xiv,101面圖,表 : 30公分;
Subject:	電子束蒸鍍
Subject:	electron beam evaporation (e-beam)
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/9shr47
Notes:	114年12月10日公開
Notes:	參考書目: 面94-101

電子束沉積不同雜質摻雜Ga2O3寬能隙半導體薄膜之特性分析與元件製造 = Characterizations and Device Fabrications of Ga2O3 Wide Bandgap Semiconductor Thin Films Doped with Different Impurities via Electron Beam Deposition
王, 怡雯

電子束沉積不同雜質摻雜Ga2O3寬能隙半導體薄膜之特性分析與元件製造 = Characterizations and Device Fabrications of Ga2O3 Wide Bandgap Semiconductor Thin Films Doped with Different Impurities via Electron Beam Deposition / 王怡雯撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - xiv,101面 ; 圖,表 ; 30公分.
114年12月10日公開參考書目: 面94-101.
電子束蒸鍍electron beam evaporation (e-beam)

電子束沉積不同雜質摻雜Ga2O3寬能隙半導體薄膜之特性分析與元件製造 = Characterizations and Device Fabrications of Ga2O3 Wide Bandgap Semiconductor Thin Films Doped with Different Impurities via Electron Beam Deposition
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300 $a 參考書目: 面94-101
314 $a 指導教授: 楊證富博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
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610 0 $a 電子束蒸鍍 $a 氧化鎵 $a 雜質 $a 氧空缺（VO） $a p-n異質接面二極體 $a 薄膜電晶體
610 1 $a electron beam evaporation (e-beam) $a gallium oxide (Ga2O3) $a impurity $a oxide vacancy $a p-n heterojunction diode $a thin film transistor (TFT)
681 $a 008M/0019 $b 541208 1091 $v 2007年版
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