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p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 =...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
Author:	陳泓熙,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2025[民114]
Description:	viii,53葉圖 : 30公分;
Subject:	P型電晶體
Subject:	P-type transistor
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/j3md2z
Notes:	114年12月10日公開
Notes:	參考書目: 葉50-53

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
陳, 泓熙

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors / 陳泓熙撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - viii,53葉 ; 圖 ; 30公分.
114年12月10日公開參考書目: 葉50-53.
P型電晶體P-type transistor

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
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300 $a 參考書目: 葉50-53
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 0 $a P型電晶體 $a 無接面環繞式閘極電晶體 $a 阻抗頻譜 $a 通道阻抗 $a 製成變異
610 1 $a P-type transistor $a junctionless gate-all-around transistor $a impedance spectrum $a channel impedance $a process variation
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