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三極Al/SiO2/Si MIS元件及其偏壓光響應特性研究 = The ...

吳昱穎

三極Al/SiO2/Si MIS元件及其偏壓光響應特性研究 = The Study of Photo Current Characteristics of a Three-Electrode Al/SiO2/Si MIS Device Under Biasing

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Study of Photo Current Characteristics of a Three-Electrode Al/SiO2/Si MIS Device Under Biasing
Author:	吳昱穎,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2025[民114]
Description:	x,89面圖,表 : 30公分;
Subject:	二氧化矽
Subject:	SiO2
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/2864f3
Notes:	114年12月10日公開
Notes:	參考書目: 面88-89

三極Al/SiO2/Si MIS元件及其偏壓光響應特性研究 = The Study of Photo Current Characteristics of a Three-Electrode Al/SiO2/Si MIS Device Under Biasing
吳, 昱穎

三極Al/SiO2/Si MIS元件及其偏壓光響應特性研究 = The Study of Photo Current Characteristics of a Three-Electrode Al/SiO2/Si MIS Device Under Biasing / 吳昱穎撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - x,89面 ; 圖,表 ; 30公分.
114年12月10日公開參考書目: 面88-89.
二氧化矽SiO2

三極Al/SiO2/Si MIS元件及其偏壓光響應特性研究 = The Study of Photo Current Characteristics of a Three-Electrode Al/SiO2/Si MIS Device Under Biasing
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300 $a 參考書目: 面88-89
314 $a 指導教授: 施明昌博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 0 $a 二氧化矽 $a 電子束 $a MIS光電偵測器 $a 三電極光電偵測器 $a 光響應度 $a 閘極調變 $a 電場效應
610 1 $a SiO2 $a Electron‐Beam Evaporation $a MIS-Photo-detector $a Three‐Electrode Photodetector $a photo responsivity $a Gate Modulation $a electric field effect
681 $a 008M/0019 $b 542201 2662 $v 2007年版
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856 4 $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/2864f3 $z 電子資源