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FBAR在不同Sc比率的氮化鋁壓電材對FBAR特性研究 = Study ...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

FBAR在不同Sc比率的氮化鋁壓電材對FBAR特性研究 = Study on the Characteristics of FBAR with Aluminum Nitride Piezoelectric Material at Different Scandium Doping Ratios

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Study on the Characteristics of FBAR with Aluminum Nitride Piezoelectric Material at Different Scandium Doping Ratios
Author:	高守甫,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2025[民114]
Description:	v,30葉圖,表 : 30公分;
Subject:	薄膜體聲波諧振器
Subject:	Film Bulk Acoustic Resonator
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/x6rqb7
Notes:	114年12月10日公開
Notes:	參考書目: 葉27-30

FBAR在不同Sc比率的氮化鋁壓電材對FBAR特性研究 = Study on the Characteristics of FBAR with Aluminum Nitride Piezoelectric Material at Different Scandium Doping Ratios
高, 守甫

FBAR在不同Sc比率的氮化鋁壓電材對FBAR特性研究 = Study on the Characteristics of FBAR with Aluminum Nitride Piezoelectric Material at Different Scandium Doping Ratios / 高守甫撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - v,30葉 ; 圖,表 ; 30公分.
114年12月10日公開參考書目: 葉27-30.
薄膜體聲波諧振器Film Bulk Acoustic Resonator

FBAR在不同Sc比率的氮化鋁壓電材對FBAR特性研究 = Study on the Characteristics of FBAR with Aluminum Nitride Piezoelectric Material at Different Scandium Doping Ratios
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300 $a 參考書目: 葉27-30
314 $a 指導教授: 孫士傑博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
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610 0 $a 薄膜體聲波諧振器 $a 聲波濾波器 $a AlN摻雜Sc $a 機電耦合係數
610 1 $a Film Bulk Acoustic Resonator $a Acoustic Wave Filters $a Sc-Doped AlN $a Electromechanical Coupling Coefficient
681 $a 008M/0019 $b 423203 0035 $v 2007年版
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