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矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the ...

國立高雄大學電機工程學系--半導體製造智能化技術產業碩士專班

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate
Author:	林秀蓁,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2025[民114]
Description:	x,34葉圖,表 : 30公分;
Subject:	SiO₂蝕刻
Subject:	SiO₂ etching
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/em9u8e
Notes:	114年12月10日公開
Notes:	參考書目: 葉33-34

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate
林, 秀蓁

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate / 林秀蓁撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - x,34葉 ; 圖,表 ; 30公分.
114年12月10日公開參考書目: 葉33-34.
SiO₂蝕刻SiO₂ etching

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate
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300 $a 參考書目: 葉33-34
314 $a 指導教授: 施明昌博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系-半導體製造智能化技術產業碩士專班
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610 0 $a SiO₂蝕刻 $a 表面粗糙度 $a 蝕刻速率
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681 $a 008M/0019 $b 542201 4424.5 $v 2007年版
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