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高鴻文

概要

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書目資訊

四閘極金氧半場效電晶體之具氧化層基體絕緣結構(含/不含)氧化層介面缺陷電荷之次臨界行為研究 = The Investigation on Subthreshold Behavior Model for the SOI Quadruple-Gate MOSFETs with/without the Localized Interface Trapped Charges by: 國立高雄大學電機工程學系碩士班; 高鴻文 (書目-語言資料,印刷品) , [撰]

主題

四閘極金氧半場效電晶體 Quadruple-Gate MOSFETs

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