國立高雄大學圖資館 |

語系: 繁體中文

說明(常見問題)

圖資館首頁

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

應變技術應用於90奈米SOI金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = T...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

應變技術應用於90奈米SOI金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Impact of Strain Technology on Device Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFET

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Impact of Strain Technology on Device Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFET
作者:	王治忠,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2009[民98]
面頁冊數:	125面圖、表 : 30公分;
標題:	全金屬矽化物
標題:	CESL
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/62872570091066998164
附註:	參考書目：面
附註:	指導教授：葉文冠
摘要註:	本篇論文中，我們運用了幾項製程技術來提升N、PMOSFET的特性，其中包含絕緣層上矽(SOI)、全金屬矽化物(FUSI)、接觸蝕刻截止層(CESL)等製程。我們探討了CESL製程對金氧半場效電晶體的影響，發現不同CESL製程對於元件的特性有明顯的影響，運用高應變技術的確能有效提升元件的驅動電流，同樣在元件的轉移電導能力也有所提升不論SOI厚度在500Å、700Å、900Å都有著相同的趨勢；而且在不同SOI厚度的條件下，CESL製程影響元件的特性也有明顯的變化，對於比較薄的SOI厚度會感到比較敏感，包含驅動電流、載子的遷移率等特性。另外，我們也更進一步的探討元件對於溫度、熱載子效應和正負偏壓溫度不穩定性的可靠度(Reliability)研究。首先針對溫度的可靠度研究，可以看出當溫度越高時，元件退化的情形就更為嚴重；對於電性壓迫可靠度研究方面，我們發現到元件的退化程度最嚴重的時候發生在SOI厚度較厚的時候，我們認為在SOI厚度較厚的情況下其Defect的情形較為嚴重，主要是因為interface states的增加與電荷注入氧化層造成氧化層缺陷較大的結果。 In this thesis, we investigate the impact of SOI thickness on device characteristic and reliability for FUSI gate CMOSFET with CESL strain technology. For FUSI gate SOI CMOSFET, the impact of different CESL and SOI thickness on device performance and reliability were investigated. In this work, device characteristic and related hot-carrier induced and negative bias temperature instability induced device degradation are affected by CESL and SOI thickness with opposite tendency. In this work, we found that thinner SOI is more sensitive to CESL-induced enhancing driving capability than thicker SOI does. The device’s driving capability can be enhanced by CESL on MOSFET with thinner SOI than one with thicker SOI. However, for higher tensile CESL nMOSFET and higher compressive CESL pMOSFET, experimental results reveal that higher hot-carrier induced nMOSFET degradation happen on device with thicker SOI due to higher impact ionization and NBTI induced pMOSFET degradation happen on thicker SOI due to higher out of plane compressive stress induced bulk defect.

應變技術應用於90奈米SOI金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Impact of Strain Technology on Device Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFET
王, 治忠

應變技術應用於90奈米SOI金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Impact of Strain Technology on Device Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFET / 王治忠撰 - [高雄市] : 撰者, 2009[民98]. - 125面 ; 圖、表 ; 30公分.
參考書目：面指導教授：葉文冠.
全金屬矽化物CESL

應變技術應用於90奈米SOI金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 = The Impact of Strain Technology on Device Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFET
LDR:03484nam a2200277 4500 001 220411
005 20170214101011.0
009 220411
010 0 $b 平裝
010 0 $b 精裝
100 $a 20170214y2009 k y0chiy09 ea
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 應變技術應用於90奈米SOI金氧半場效電晶體特性分析與可靠度研究 $d The Impact of Strain Technology on Device Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFET $z eng $f 王治忠撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2009[民98]
215 0 $a 125面 $c 圖、表 $d 30公分
300 $a 參考書目：面
300 $a 指導教授：葉文冠
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
330 $a 本篇論文中，我們運用了幾項製程技術來提升N、PMOSFET的特性，其中包含絕緣層上矽(SOI)、全金屬矽化物(FUSI)、接觸蝕刻截止層(CESL)等製程。我們探討了CESL製程對金氧半場效電晶體的影響，發現不同CESL製程對於元件的特性有明顯的影響，運用高應變技術的確能有效提升元件的驅動電流，同樣在元件的轉移電導能力也有所提升不論SOI厚度在500Å、700Å、900Å都有著相同的趨勢；而且在不同SOI厚度的條件下，CESL製程影響元件的特性也有明顯的變化，對於比較薄的SOI厚度會感到比較敏感，包含驅動電流、載子的遷移率等特性。另外，我們也更進一步的探討元件對於溫度、熱載子效應和正負偏壓溫度不穩定性的可靠度(Reliability)研究。首先針對溫度的可靠度研究，可以看出當溫度越高時，元件退化的情形就更為嚴重；對於電性壓迫可靠度研究方面，我們發現到元件的退化程度最嚴重的時候發生在SOI厚度較厚的時候，我們認為在SOI厚度較厚的情況下其Defect的情形較為嚴重，主要是因為interface states的增加與電荷注入氧化層造成氧化層缺陷較大的結果。 In this thesis, we investigate the impact of SOI thickness on device characteristic and reliability for FUSI gate CMOSFET with CESL strain technology. For FUSI gate SOI CMOSFET, the impact of different CESL and SOI thickness on device performance and reliability were investigated. In this work, device characteristic and related hot-carrier induced and negative bias temperature instability induced device degradation are affected by CESL and SOI thickness with opposite tendency. In this work, we found that thinner SOI is more sensitive to CESL-induced enhancing driving capability than thicker SOI does. The device’s driving capability can be enhanced by CESL on MOSFET with thinner SOI than one with thicker SOI. However, for higher tensile CESL nMOSFET and higher compressive CESL pMOSFET, experimental results reveal that higher hot-carrier induced nMOSFET degradation happen on device with thicker SOI due to higher impact ionization and NBTI induced pMOSFET degradation happen on thicker SOI due to higher out of plane compressive stress induced bulk defect.
510 1 $a The Impact of Strain Technology on Device Characteristic and Reliability for 90nm SOI CMOSFET $z eng
610 0 $a 全金屬矽化物 $a 接觸蝕刻截止層 $a 絕緣層上矽
610 1 $a CESL $a FUSI $a Hot Carrier Effect $a NBTI $a SOI
681 $a 008M/0019 $b 542201 1035 $v 2007年版
700 1 $a 王 $b 治忠 $4 撰 $3 354075
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩士班 $3 166118
801 0 $a tw $b 國立高雄大學 $c 20091020 $g CCR
856 7 $2 http $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/62872570091066998164