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熱蒸鍍法製作氧化鋅光偵檢器研究 = Studies on ZnO pho...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

熱蒸鍍法製作氧化鋅光偵檢器研究 = Studies on ZnO photodetector by thermal evaporation

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Studies on ZnO photodetector by thermal evaporation
作者:	許藝騰,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	民99[2010]
面頁冊數:	55面圖，表 : 30公分;
標題:	熱蒸鍍
標題:	Thermal Evaporator
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/54243833644374933992
摘要註:	本論文研究以熱蒸鍍法製作氮化鋅薄膜，並熱氧化氮化鋅薄膜，使其成為摻氮的p型氧化鋅薄膜。在此薄膜上蒸鍍指叉狀鋁電極，製作成光導體光偵檢器，進行光電特性量測，探討不同熱氧化溫度與薄膜特性的關係，發現薄膜在溫度500℃以上的熱氧化處理後，有明顯缺陷的產生。同時，將此薄膜沉積於n型氧化鋅薄膜上，製作成氧化鋅二極體光偵檢器，進行光響應度量測，可以得到大於兩個數量級的帶通比。 In this work, we prepared N-doped p-type ZnO thin films by thermal oxidation of Zn3N2 thin films. The Zn3N2 thin films ware fabricated by thermal evaporation. ZnO photodetectors with aluminum interdigital electrode were prepared. The electrical and optical properties were studied. Characterization of thin films related to temperature of thermal oxidation was studied. With the temperature higher than 500℃, defects in the film can be characterized. The ZnO pn photo diode can be fabricated by this method. The spectral responsivity for such diode was studied. The rejection ratio more than two orders of magnitude can be achieved for such ZnO pn diode with suitable temperature treatment.

熱蒸鍍法製作氧化鋅光偵檢器研究 = Studies on ZnO photodetector by thermal evaporation
許, 藝騰

熱蒸鍍法製作氧化鋅光偵檢器研究 = Studies on ZnO photodetector by thermal evaporation / 許藝騰撰 - [高雄市] : 撰者, 民99[2010]. - 55面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面.
熱蒸鍍Thermal Evaporator

熱蒸鍍法製作氧化鋅光偵檢器研究 = Studies on ZnO photodetector by thermal evaporation
LDR:02366nam0a2200277 450 001 273033
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200 1 $a 熱蒸鍍法製作氧化鋅光偵檢器研究 $d Studies on ZnO photodetector by thermal evaporation $f 許藝騰撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 民99[2010]
215 0 $a 55面 $c 圖，表 $d 30公分
314 $a 指導教授：藍文厚博士
320 $a 參考書目：面
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
330 $a 本論文研究以熱蒸鍍法製作氮化鋅薄膜，並熱氧化氮化鋅薄膜，使其成為摻氮的p型氧化鋅薄膜。在此薄膜上蒸鍍指叉狀鋁電極，製作成光導體光偵檢器，進行光電特性量測，探討不同熱氧化溫度與薄膜特性的關係，發現薄膜在溫度500℃以上的熱氧化處理後，有明顯缺陷的產生。同時，將此薄膜沉積於n型氧化鋅薄膜上，製作成氧化鋅二極體光偵檢器，進行光響應度量測，可以得到大於兩個數量級的帶通比。 In this work, we prepared N-doped p-type ZnO thin films by thermal oxidation of Zn3N2 thin films. The Zn3N2 thin films ware fabricated by thermal evaporation. ZnO photodetectors with aluminum interdigital electrode were prepared. The electrical and optical properties were studied. Characterization of thin films related to temperature of thermal oxidation was studied. With the temperature higher than 500℃, defects in the film can be characterized. The ZnO pn photo diode can be fabricated by this method. The spectral responsivity for such diode was studied. The rejection ratio more than two orders of magnitude can be achieved for such ZnO pn diode with suitable temperature treatment.
510 1 $a Studies on ZnO photodetector by thermal evaporation
610 0 $a 熱蒸鍍 $a 氮化鋅 $a 氧化鋅 $a 熱氧化 $a 光導體光偵檢器 $a 二極體光偵檢器
610 1 $a Thermal Evaporator $a Zinc Nitride(Zn3N2) $a Zinc Oxide(ZnO) $a Thermal Oxidation $a Photoconductor $a Photodetector
681 $a 008M/0019 $b 542201 0847 $v 2007年版
700 1 $a 許 $b 藝騰 $4 撰 $3 483175
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩士班 $3 166118
801 0 $a tw $b 國立高雄大學 $c 20101227 $g CCR
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