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以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Desi...

國立中山大學電機工程學系

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure
Author:	廖珮淳,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立中山大學
Place of Publication:	[高雄市]
Published:	撰者;
Year of Publication:	2013[民102]
Description:	104面圖，表 : 29公分;
Subject:	氮化鋁薄膜
Subject:	AIN films
Notes:	參考書目：面98-104
Summary:	本研究擬研製高頻(GHz)Rayleigh模態特性之表面聲波元件以應用於未來的4G之通訊頻段。本研究採用射頻磁控濺鍍法以成長氮化鋁壓電薄膜，並藉由調變沉積參數以提升其品質機電耦合係數。本研究採用高導電特性、低質量密度及價格低廉之鋁薄膜當作IDT電極，並利用電子束微影製成之技術來代替傳統光學微影之製程，分別製作出四組不同奈米線寬的IDT電極，再利用原子力顯微鏡與四點探針分析法以進行物性和電性分析。本研究為考量良率、成本、製程時間及光學解析度...等關鍵因素，將採用反光罩圖層設計法結合乾式蝕刻製程，來完成本研究所設計之四組高頻SAW元件，利用網路分析機E5071C撘配CASCADE探針座以進行元件頻率響應的量測。由頻率響應分析得知，線寬為937nm、750nm、562nm以及375nm時，其中心頻率分別為1.402GHz、1.812GHz、2.425GHz以及3.747GHz，可分別應用於不同之通訊頻帶當中，例如:本研究所製作開發之375nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第四代(4G)通訊之LTE Band 41通訊規格(3.4~3.6Hz)中;而562nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第三代(3G)通訊之WCDMA(2GHz)通訊規格中。

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure
廖, 珮淳

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure / 廖珮淳撰 - [高雄市] : 撰者, 2013[民102]. - 104面 ; 圖，表 ; 29公分.
參考書目：面98-104.
氮化鋁薄膜AIN films

以AIN/Si3N4/Si結構製作第四代通訊用表面聲波元件 = Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure
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210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2013[民102]
215 0 $a 104面 $c 圖，表 $d 29公分
300 $a 參考書目：面98-104
314 $a 指導教授：陳英忠博士
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
330 $a 本研究擬研製高頻(GHz)Rayleigh模態特性之表面聲波元件以應用於未來的4G之通訊頻段。本研究採用射頻磁控濺鍍法以成長氮化鋁壓電薄膜，並藉由調變沉積參數以提升其品質機電耦合係數。本研究採用高導電特性、低質量密度及價格低廉之鋁薄膜當作IDT電極，並利用電子束微影製成之技術來代替傳統光學微影之製程，分別製作出四組不同奈米線寬的IDT電極，再利用原子力顯微鏡與四點探針分析法以進行物性和電性分析。本研究為考量良率、成本、製程時間及光學解析度...等關鍵因素，將採用反光罩圖層設計法結合乾式蝕刻製程，來完成本研究所設計之四組高頻SAW元件，利用網路分析機E5071C撘配CASCADE探針座以進行元件頻率響應的量測。由頻率響應分析得知，線寬為937nm、750nm、562nm以及375nm時，其中心頻率分別為1.402GHz、1.812GHz、2.425GHz以及3.747GHz，可分別應用於不同之通訊頻帶當中，例如:本研究所製作開發之375nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第四代(4G)通訊之LTE Band 41通訊規格(3.4~3.6Hz)中;而562nm線寬之高頻SAW元件，其可應用於第三代(3G)通訊之WCDMA(2GHz)通訊規格中。
510 1 $a Design and fabrication of 4G SAW device with AIN/Si3N4/Sistructure $z eng
610 # 0 $a 氮化鋁薄膜 $a 表面聲波元件 $a 電子束微影製程技術 $a Rayleigh模態
610 # 1 $a AIN films $a SAW device $a Rayleigh-mode $a electron beam lithography $a RF magnetron sputtering
681 $a 008M/0009 $b 542201 0013 $v 2007年版
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