國立高雄大學圖資館 |

Language: English

Back

鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of...

國立中山大學電機工程學系

鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
Author:	陳志聖,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立中山大學
Place of Publication:	[高雄市]
Published:	撰者;
Year of Publication:	2007[民96]
Description:	127面圖，表 : 30公分;
Subject:	鐵電
Subject:	ferroelectric
Notes:	參考書目：面61-69

鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
陳, 志聖

鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors / 陳志聖撰 - [高雄市] : 撰者, 2007[民96]. - 127面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面61-69.
鐵電ferroelectric

鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 = Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors
LDR:00956nam0 2200229 450 001 449277
005 20150515092806.0
010 0 $b 平裝
100 $a 20150512d2007 k y0chiy05 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 鐵電記憶元件在多晶系薄膜電晶體上的製備 $d Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors $z eng $f 陳志聖撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2007[民96]
215 0 $a 127面 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 參考書目：面61-69
314 $a 指導教授：陳英忠教授
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
510 1 $a Fabrication of Ferroelectric Memory Devices on Top-gated Polycrystalline Sillicon Thin-Film Transistors $z eng
610 # 0 $a 鐵電 $a 多晶矽 $a 薄膜電晶體
610 # 1 $a ferroelectric $a poly-Si $a TFT
681 $a 008M/0009 $b 542201 7541 $v 2007年版
700 1 $a 陳 $b 志聖 $4 撰 $3 703540
712 0 2 $a 國立中山大學 $b 電機工程學系 $3 700873
801 0 $a tw $b NUK $c 20150512 $g CCR