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有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 =...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
Author:	柯盈彣,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2018[民107]
Description:	xiii,152葉圖 : 30公分;
Subject:	次臨界行為
Subject:	Subthreshold Logic circuit
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/dku6k9
Notes:	110年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉145-150

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
柯, 盈彣

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate / 柯盈彣撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - xiii,152葉 ; 圖 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：葉145-150.
次臨界行為Subthreshold Logic circuit

有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
LDR:01316pam0a2200265 450 001 526272
005 20220113112232.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20181011y2018 k y0chiy50 e
101 1 $a eng $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 $d The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate $z eng $f 柯盈彣撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2018[民107]
215 0 $a xiii,152葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 110年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉145-150
314 $a 指導教授：江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate $z eng
610 # 0 $a 次臨界行為 $a 次臨界邏輯電路 $a 微縮理論 $a 短通道效應 $a 多閘極金氧半場效電晶體
610 # 1 $a Subthreshold Logic circuit $a Subthreshold behavior $a Short-Channel Effects $a Scaling Theory $a Multiple-Gate MOSFETs
681 $a 008M/0019 $b 542201 4110 $v 2007年版
700 1 $a 柯 $b 盈彣 $4 撰 $3 798941
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20181011 $g CCR
856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/dku6k9 $z 電子資源 $2 http