不同汲極偏壓與快速熱退火對N型負電容場效電晶體之電性分析及可靠度研究 =...
國立高雄大學電機工程學系碩博士班

 

  • 不同汲極偏壓與快速熱退火對N型負電容場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Different Drain Voltage and RTA on the Device Performance and Reliability of N-type NCFET
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: The Impact of Different Drain Voltage and RTA on the Device Performance and Reliability of N-type NCFET
    Author: 尤尹宏,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 國立高雄大學;
    Year of Publication: 2020[民109]
    Description: ix,63葉圖,表 : 30公分;
    Subject: 正偏壓溫度不穩定性
    Subject: Different Drain Voltage
    Online resource: https://handle.ncl.edu.tw/11296/8fj5r3
    Notes: 114年9月26日公開
    Notes: 參考書目: 葉59-63
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310003139212 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4313 2020 一般使用(Normal) On shelf 0
310003139220 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4313 2020 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
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