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N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Elec...

何岳廷

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors
Author:	何岳廷,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2024[民113]
Description:	xvi,107葉圖,表 : 30公分;
Subject:	無接面
Subject:	Junctionless
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/x2vn5k
Notes:	113年11月15日公開
Notes:	參考書目: 葉103-107

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors
何, 岳廷

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors / 何岳廷撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2024[民113]. - xvi,107葉 ; 圖,表 ; 30公分.
113年11月15日公開參考書目: 葉103-107.
無接面Junctionless

N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 = Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors
LDR:01387pam0a2200277 450 001 657670
005 20250213091354.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 112NUK00442017
100 $a 20240912y2024 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a N型無接面奈米線全環式閘極場效電晶體之電性量測與可靠度分析 $d Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors $z eng $f 何岳廷撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2024[民113]
215 0 $a xvi,107葉 $c 圖,表 $d 30公分
300 $a 113年11月15日公開
300 $a 參考書目: 葉103-107
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Electrical Measurement and Reliability Trend Analysis of n-Type Junctionless Nanowire Gate-All-Around Field-Effect Transistors $z eng
610 0 $a 無接面 $a 全環式閘極場效電晶體 $a 熱載子注入 $a 回轉現象 $a 臨界電壓 $a 次臨界擺幅 $a TCAD
610 1 $a Junctionless $a Gate-All-Around Field-Effect Transistor $a Hot Carrier Injection $a Turn-Around $a Threshold Voltage $a Subthreshold Swing $a TCAD
681 $a 008M/0019 $b 542201 2121 $v 2007年版
700 1 $a 何 $b 岳廷 $4 撰 $3 968672
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20240910 $g CCR
856 4 $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/x2vn5k $z 電子資源