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p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 =...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
作者:	陳泓熙,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2025[民114]
面頁冊數:	viii,53葉圖 : 30公分;
標題:	P型電晶體
標題:	P-type transistor
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/j3md2z
附註:	114年12月10日公開
附註:	參考書目: 葉50-53

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
陳, 泓熙

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors / 陳泓熙撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - viii,53葉 ; 圖 ; 30公分.
114年12月10日公開參考書目: 葉50-53.
P型電晶體P-type transistor

p型無接面環繞式閘極電晶體之開關下源極直流與交流比較與非均勻摻雜模擬 = DC and AC Comparison of Source Terminal under Switching Operation and Non-Uniform Doping Simulationin p-Type Junctionless Gate-All-Around Transistors
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328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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