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矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the ...

國立高雄大學電機工程學系--半導體製造智能化技術產業碩士專班

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate
作者:	林秀蓁,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2025[民114]
面頁冊數:	x,34葉圖,表 : 30公分;
標題:	SiO₂蝕刻
標題:	SiO₂ etching
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/em9u8e
附註:	114年12月10日公開
附註:	參考書目: 葉33-34

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate
林, 秀蓁

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate / 林秀蓁撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2025[民114]. - x,34葉 ; 圖,表 ; 30公分.
114年12月10日公開參考書目: 葉33-34.
SiO₂蝕刻SiO₂ etching

矽基板蝕刻條件與表面粗糙度的研究 = The Study of the Surface Morphology in the Etching of Si Substrate
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300 $a 參考書目: 葉33-34
314 $a 指導教授: 施明昌博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系-半導體製造智能化技術產業碩士專班
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